| 基于电感耦合等离子体刻蚀的LNOI脊形微结构制备 |
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| 引用本文： | 吴玉航,杨忠华,孟雪飞,宋泽乾,刘文,罗文博,张万里.基于电感耦合等离子体刻蚀的LNOI脊形微结构制备[J].压电与声光,2023,45(2):239-242. |
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| 作者姓名： | 吴玉航 杨忠华 孟雪飞 宋泽乾 刘文 罗文博 张万里 |
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| 作者单位： | 重庆邮电大学 光电工程学院,重庆 400065 ；电子科技大学 重庆微电子产业技术研究院,重庆 401332;电子科技大学 电子科学与工程学院,四川 成都 611731;电子科技大学 重庆微电子产业技术研究院,重庆 401332 ；电子科技大学 电子科学与工程学院,四川 成都 611731 |
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| 摘 要： | 铌酸锂(LiNbO3,LN)是一种广泛使用的介电材料，由于其电光系数大，透明范围大，本征带宽宽，因而在集成和非线性光学器件中极为重要。但绝缘体上铌酸锂薄膜(LNOI)的化学稳定性好，刻蚀速率慢，其微结构参数难以控制。针对以上问题，该文开展了基于电感耦合等离子体刻蚀(ICP-RIE)的LNOI脊形微结构的制备工艺研究，分析了腔室压强、气体总流量及刻蚀功率等参数对刻蚀速率、刻蚀倾角和表面粗糙度(RMS)的影响。研究表明，在优化的工艺条件下，LNOI薄膜的刻蚀速率达到24.9 nm/min,制备出刻蚀深度249 nm、刻蚀倾角76°、表面粗糙度(RMS)0.716 nm的LNOI脊形微结构。该文通过对刻蚀工艺与微观结构参数的研究，建立了基于ICP的LNOI微结构刻蚀方法，为控制LNOI脊形光波导和提升性能提供了工艺支撑。
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| 关 键 词： | 绝缘体上铌酸锂薄膜(LNOI) 集成光子学 脊形结构 电感耦合等离子体刻蚀 微结构参数 |
| 收稿时间： | 2022/10/15 0:00:00 |
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