SiC晶片精密研磨工艺及其表面损伤研究

SiC作为制造高温、高频、大功率光电集成器件的理想材料，具有高临界击穿强度、高电子迁移率、高导热率等多个特点。SiC晶片的表面光滑度对于晶片工艺研究有着极为重要的作用，但是在对晶片进行研磨的过程中不可避免地会对镜片表面造成损伤，影响晶片性能。本文对此进行了一系列研究。