|
|||||
|
|
| DBD-PECVD法制备CN薄膜的结构及性能研究 | |
| 引用本文： | 张莲莲,刘艳红,牛金海,刘东平. DBD-PECVD法制备CN薄膜的结构及性能研究[J]. 真空科学与技术学报, 2009, 29(5). DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2009.05.05 |
| 作者姓名： | 张莲莲 刘艳红 牛金海 刘东平 |
| 作者单位： | 1. 大连理工大学物理与光电工程学院,大连,116023;大连民族学院光电子技术研究所,大连,116600 2. 大连理工大学物理与光电工程学院,大连,116023 3. 大连民族学院光电子技术研究所,大连,116600 |
| 摘 要： | 使用自行设计的真空系统,采用介质阻挡放电等离子体增强化学气相沉积(DBD-PECVD)法,分别以CH4/N2、C2H2/N2、C2H4/N2混合气体作为反应气体,在单晶硅片上成功制备了CN薄膜.FTIR结果证实了薄膜中碳氮原子结合成化学键,Raman结果说明薄膜中含有类金刚石结构,AFM结果表明薄膜粗糙度随放电气压的升高而逐渐增大.三种混合气体沉积的CN薄膜,以CH4/N2的沉积速度最慢,薄膜表面粗糙度最小,含H量最少;C2H2/N2的沉积速度最快,薄膜表面粗糙度最大. |
| 关 键 词： | 碳氮薄膜 薄膜结构 介质阻挡放电 |
Microstructures and Properties of CN Films Grown by Dielectric Barrier Discharge Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition |
|
| Zhang Lianlian,Liu Yanhong,Niu Jinhai,Liu Dongping. Microstructures and Properties of CN Films Grown by Dielectric Barrier Discharge Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2009, 29(5). DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2009.05.05 | |
| Authors: | Zhang Lianlian Liu Yanhong Niu Jinhai Liu Dongping |
| Abstract: | |
| Keywords: | FTIR AFM Raman |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |