| 块RAM与标准单元的混合模式布局算法 |
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| 引用本文： | 刘宝娟,耿爽.块RAM与标准单元的混合模式布局算法[J].微处理机,2007,28(5):26-27,30. |
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| 作者姓名： | 刘宝娟 耿爽 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第四十七研究所,沈阳,110032 |
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| 摘 要： | 针对块RAM和标准CLB单元的电路布局问题,提出了一个新的混合模式布局算法。在标准单元采用模拟退火方式的前提下,对块RAM的布局进行算法改进。不但兼顾了块RAM的布局方式,也兼顾了原有的算法。
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| 关 键 词： | 块RAM 标准CLB 模拟退火 布局 |
| 文章编号： | 1002-2279（2007）05-0026-02 |
| 修稿时间： | 2007-04-04 |
A Algorithm for Placement of RAM and Standard Cell Designs |
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| LIU Bao-juan,GENG Shuang.A Algorithm for Placement of RAM and Standard Cell Designs[J].Microprocessors,2007,28(5):26-27,30. |
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| Authors: | LIU Bao-juan GENG Shuang |
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| Affiliation: | The 47th Research Institute of China Electron,s Technology Group Corporation ,Shenyang 110032, China |
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| Abstract: | This paper describes a algorithm that is a new mix mode placement for RAM and standard CLB cell designs in circuit.Standard cell adopt stimulated annealing mode,and RAM adopt improved optimize algorithm.The algorithm not only includes RAM's placement mode,but also includes original style. |
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| Keywords: | RAM CLB Simulated annealing Placement |
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