TiAlSi合金γ相内位错网的电子衍衬分析 |
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引用本文: | 梁伟,黄孝瑛,郑维能.TiAlSi合金γ相内位错网的电子衍衬分析[J].电子显微学报,1998,17(5):515-516. |
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作者姓名: | 梁伟 黄孝瑛 郑维能 |
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作者单位: | 1. 太原理工大学测试中心,太原,030024 2. 钢铁研究总院,北京,100081 3. 首都师范大学,北京,100037 |
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摘 要: | γ-TiAl中所观察到的位错主要有(1/2)〈110]普通位错,(1/2)〈112]和[011]超点阵位错。Kad等研究了TiAl合金层状组织层片界面的位错结构[1],表明由于非180°旋转孪晶界面两侧晶体在界面处的非严格匹配而形成剪切边界,其中一类...
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关 键 词: | 位错 电子衍射分析 钛铝硅合金 γ相 晶体 |
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