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扩散温度和时间对晶体硅太阳电池性能的影响
引用本文:王丽,陈阿青,王晓忠,乐栋贤,梅建滨. 扩散温度和时间对晶体硅太阳电池性能的影响[J]. 电子元件与材料, 2012, 31(4): 62-65. DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2012.04.018
作者姓名:王丽  陈阿青  王晓忠  乐栋贤  梅建滨
作者单位:1.乐山职业技术学院新能源工程系,四川 乐山,614000;2.乐山职业技术学院新能源工程系,四川 乐山,614000;3.乐山职业技术学院新能源工程系,四川 乐山,614000;4.乐山职业技术学院新能源工程系,四川 乐山,614000;5.乐山职业技术学院新能源工程系,四川 乐山,614000
基金项目:四川省科技厅院级合作资助项目(No.10ZC1914),四川省科技厅重大技术支撑资助项目(No.10ZC1893)
摘    要:研究了薄层方块电阻对单晶硅太阳电池的开路电压(Voc)、短路电流(Isc)、填充因子(FF)和转换效率(η)的影响.通过控制扩散温度和时间制备了具有不同薄层方块电阻的单晶硅太阳电池.结果表明:当扩散温度和时间分别为863℃和1 050 s时,电池性能得到了有效的改善,其平均开路电压、短路电流、填充因子和转换效率分别为0.64V,5.58A,0.755和17.3%.

关 键 词:扩散温度  扩散时间  薄层方块电阻  单晶硅太阳电池  转换效率

Effects of diffusion temperature and time on properties of single crystalline silicon solar cells
WANG Li , CHENG Aqing , WANG Xiaozhong , LE Dongxian , MEI Jianbin. Effects of diffusion temperature and time on properties of single crystalline silicon solar cells[J]. Electronic Components & Materials, 2012, 31(4): 62-65. DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2012.04.018
Authors:WANG Li    CHENG Aqing    WANG Xiaozhong    LE Dongxian    MEI Jianbin
Affiliation:(School of New Energy Engineering,Leshan Vocational & Technical College,Leshan 614000,Sichuan Province,China)
Abstract:The effects of sheet resistance on the properties of crystalline silicon solar cells(CSSC),including open circuit voltage(Voc),short circuit current(Isc),fill factor(FF) and conversion efficiency(η),were studied.The CSSC with different sheet resistances were prepared by changing the diffusion temperature and time.The results show that the properties of CSSC are effectively improved at the diffusion temperature of 863 ℃ and the diffusion time of 1 050 s.The values of Voc,Isc,FF and η are 0.64 V,5.58 A,0.755 and 17.3%,respectively.
Keywords:diffusion temperature  diffusion time  sheet resistance  single crystalline silicon solar cells  conversion efficiency
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