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| 一种新型结构的LB膜化学场效应晶体管的气敏特性研究 | |
| 引用本文： | 顾长志,孙良彦,张彤,文珂.一种新型结构的LB膜化学场效应晶体管的气敏特性研究[J].半导体学报,1994,15(4):273-276. |
| 作者姓名： | 顾长志 孙良彦 张彤 文珂 |
| 作者单位： | 吉林大学原子与分子物理研究所，吉林大学电子科学系，吉林大学化学系 |
| 摘 要： | 合成了新型的有机半导体ＬＢ膜气敏材料（ＣＯＴＤＭＡＰＰ），其ＬＢ多层膜拉制在场效应晶体管上，形成了具有ＬＢ－ＯＳＦＥＴ结构的化学场效应晶体管（ＣｈｅｒｎＦＥＴ），该器件置于ＮＯ２，ＮＨ３，ＣＯ和Ｈ２Ｓ等有害气体中，结果表明在ＮＯ２气氛中元件漏电流ＩＤＳ发生变化，并可检测到２ｐｐｍ的ＮＯ２．这种器件的气敏特性在于ＦＥＴ的电流放大作用及ＬＢ膜的有序性的影响． |
| 关 键 词： | 场效应 晶体管 LB膜 半导体材料 |
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