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| 一个适用于短沟HALO结构MOS器件的直接隧穿栅电流模型 | |
| 作者姓名： | 赵要 许铭真 谭长华 |
| 作者单位： | 北京大学微电子学系,北京,100871 |
| 摘 要： | 对沟道长度从10μm到0.13μm,栅氧化层厚度为2.5nm的HALO结构nMOS器件的直接隧穿栅电流进行了研究,得到了一个适用于短沟道HALO结构MOS器件的直接隧穿栅电流模型.随着沟道尺寸的缩短,源/漏扩展区占据沟道的比例越来越大,源漏扩展区的影响不再可以忽略不计.文中考虑了源/漏扩展区对直接隧穿栅电流的影响,给出了适用于不同HALO掺杂剂量的超薄栅(2～4nm)短沟(0.13～0.25μm)nMOS器件的半经验直接隧穿栅电流模拟表达式. |
| 关 键 词： | MOS器件 HALO结构 直接隧穿电流 源/漏扩展区 |
| 收稿时间： | 2015-08-20 |
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