| 位错芯重构缺陷对于Si中位错运动的影响 |
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| 引用本文： | 杨立军,孟庆元,李成祥,钟康游,果立成.位错芯重构缺陷对于Si中位错运动的影响[J].半导体学报,2006,27(11). |
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| 作者姓名： | 杨立军 孟庆元 李成祥 钟康游 果立成 |
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| 作者单位： | 1. 哈尔滨工业大学航天科学与力学系,哈尔滨,150001
2. 哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所,哈尔滨,150001 |
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| 摘 要： | 为了研究晶格常数不匹配的异质结SiGe/Si生长过程中低温缓冲层内缺陷对位错运动的影响,使用位错偶极子模型在Si晶体内建立了一对30°部分位错,和导致30°部分位错运动的弯结结构,以及位错芯重构缺陷(RD)与弯结组合而生成的弯结-RD结构.通过分子动力学模拟,使用Parrnello-Rahmman方法施加剪应力促使位错运动,得到了左右弯结-RD结构在迁移过程中的8种稳定构型,并且使用NEB方法和紧束缚势计算了纯弯结和弯结-RD迁移过程中势垒高度,发现弯结-RD的迁移能力要高于纯弯结结构.从模拟结果推断出,低温层生长技术中的Si低温缓冲层由于低温限制了重构缺陷的运动,减少其相遇发生湮灭的概率,从而使得更多的弯结能够与重构缺陷结合生成弯结-RD结构来提高30°部分位错的运动能力,由此释放异质结结构失配应力所需的位错密度会随之减小.
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| 关 键 词： | 低温缓冲层 30°部分位错 弯结 重构缺陷 位错运动 分子动力学 |
Influence of Reconstruction Defects on Dislocation Motion in Si |
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| Yang Lijun,Meng Qingyuan,Li Chengxiang,Zhong Kangyou,Guo Licheng.Influence of Reconstruction Defects on Dislocation Motion in Si[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(11). |
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| Authors: | Yang Lijun Meng Qingyuan Li Chengxiang Zhong Kangyou Guo Licheng |
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