首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

侧墙铬衰减型新结构移相掩模的应用
引用本文:谢常青,刘明,陈宝钦,叶甜春.侧墙铬衰减型新结构移相掩模的应用[J].半导体学报,2006,27(Z1).
作者姓名:谢常青  刘明  陈宝钦  叶甜春
作者单位:中国科学院微电子研究所,纳米加工与新器件集成技术实验室,北京,100029
摘    要:提出了一种全新的移相掩模--侧墙铬衰减型移相掩模(SCAPSM),相对于通常的衰减型移相掩模,其制造工艺仅多两步,却可以较大幅度提高光刻分辨率.采用PROLITH光学光刻模拟软件,参考ArF步进扫描投影光刻机TWINSCAN XT:1400E的曝光参数,对侧墙铬衰减型移相掩模的工艺进行了研究,证明SCAPSM+离轴照明的方案可以将干式193nm光学光刻的分辨率提高到50nm.

关 键 词:193nm光学光刻  衰减型移相掩模  离轴照明  数值孔径  PROLITH

Application on Sidewall Chrome Attenuated New Structure Phase Shift Mask
Xie Changqing,Liu Ming,Chen Baoqin,Ye Tianchun.Application on Sidewall Chrome Attenuated New Structure Phase Shift Mask[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(Z1).
Authors:Xie Changqing  Liu Ming  Chen Baoqin  Ye Tianchun
Abstract:
Keywords:
本文献已被 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《半导体学报》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号