| 带有复合掺杂层集电区的InP/InGaAs/InP DHBT直流特性分析 |
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| 引用本文： | 孙浩,齐鸣,徐安怀,艾立鹍,苏树兵,刘新宇,刘训春,钱鹤.带有复合掺杂层集电区的InP/InGaAs/InP DHBT直流特性分析[J].半导体学报,2006,27(8). |
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| 作者姓名： | 孙浩 齐鸣 徐安怀 艾立鹍 苏树兵 刘新宇 刘训春 钱鹤 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050
2. 中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 设计了一种新结构InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT),在集电区与基区之间插入n+-InP层,以降低集电结的导带势垒尖峰,克服电流阻挡效应.采用基于热场发射和连续性方程的发射透射模型,计算了n+-InP插入层掺杂浓度和厚度对InP/InGaAs/InP DHBT集电结导带有效势垒高度和I-V特性的影响.结果表明,当n+-InP插入层掺杂浓度为3×1019cm-3、厚度为3nm时,可以获得较好的器件特性.采用气态源分子束外延(GSMBE)技术成功地生长出InP/InGaAs/InP DHBT结构材料.器件研制结果表明,所设计的DHBT材料结构能有效降低集电结的导带势垒尖峰,显著改善器件的输出特性.
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| 关 键 词： | InP/InGaAs 异质结双极晶体管 复合集电区 掺杂 势垒尖峰 |
Analysis of an InP/InGaAs/InP DHBT with Composite Doping Collector |
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| Sun Hao,Qi Ming,Xu Anhuai,Ai Likun,Su Shubing,Liu Xinyu,Liu Xunchun,Qian He.Analysis of an InP/InGaAs/InP DHBT with Composite Doping Collector[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(8). |
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| Authors: | Sun Hao Qi Ming Xu Anhuai Ai Likun Su Shubing Liu Xinyu Liu Xunchun Qian He |
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