| 高性能1mm SiC基AlGaN/GaN功率HEMT研制 |
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| 作者姓名： | 罗卫军 陈晓娟 李成瞻 刘新宇 和致经 魏珂 梁晓新 王晓亮 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院微电子研究所,北京,100029
2. 中国科学院微电子研究所,北京,100029
3. 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划),中国科学院知识创新工程项目 |
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| 摘 要： | 在6H-SiC衬底上,外延生长了AlGaN/GaN HEMT结构,设计并实现了高性能1mm AlGaN/GaN微波功率HEMT,外延材料利用金属有机物化学气相淀积技术生长.测试表明,该lmm栅宽器件栅长为0.8μm,输出电流密度达到1.16A/mm,跨导为241mS/mm,击穿电压＞80V,特征频率达到20GHz,最大振荡频率为28GHz.5.4GHz连续波测试下功率增益为14.2dB,输出功率达4.1W,脉冲条件测试下功率增益为14.4dB,输出功率为5.2W,两端口阻抗特性显示了在微波应用中的良好潜力.
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 微波功率 功率增益 |
| 收稿时间： | 2015-08-18 |
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