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| L-MBE法制备以ZnO为沟道层的薄膜晶体管 | |
| 作者姓名： | 张新安 张景文 杨晓东 娄辉 刘振玲 张伟风 侯洵 |
| 作者单位： | 1. 河南大学物理与信息光电子学院,开封,475001;西安交通大学信息光子技术省重点实验室,西安,710049 2. 西安交通大学信息光子技术省重点实验室,西安,710049 3. 河南大学物理与信息光电子学院,开封,475001 |
| 基金项目： | 河南省高校杰出科研创新人才工程项目 |
| 摘 要： | 采用激光分子束外延法(L-MBE)在SiNx/Si(111)衬底上制备了高质量的ZnO薄膜,用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的晶体结构、表面形貌进行了表征,结果表明ZnO薄膜有高度的c轴择优取向,薄膜表面平整致密.并以ZnO薄膜为沟道层制作了薄膜晶体管(ZnO-TFT),该晶体管工作在n沟道增强模式,阈值电压为17.5V,电子的场迁移率达到1.05cm2/(V·s). |
| 关 键 词： | 激光分子束外延 ZnO薄膜 薄膜晶体管 |
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