| InAsP/InGaAsP/InP应变材料的二维倒空间衍射研究 |
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| 引用本文： | 黄占超,吴惠桢,劳燕锋,刘成,曹萌.InAsP/InGaAsP/InP应变材料的二维倒空间衍射研究[J].半导体学报,2006,27(Z1). |
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| 作者姓名： | 黄占超 吴惠桢 劳燕锋 刘成 曹萌 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息与功能材料国家重点实验室,上海,200050 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 采用X射线衍射三轴二维倒空间衍射图研究了InP(100)衬底上分子束外延生长的压应变InAsP材料和张应变InGaAsP材料.实验测定了两种材料的(004)面、(224)面的倒空间衍射图,得到了处于部分弛豫状态的InGaAsP在不同方向呈现不同的应变状态.排除了外延层倾斜及应变对确定失配度的影响,准确计算得到InAsP外延层体失配度为1.446%,InGaAsP外延层体失配度为-0.5849%,并且生长了高质量的应变补偿8阱多量子阱.
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| 关 键 词： | X射线衍射 倒空间mapping 应变 量子阱 |
XRD Reciprocal Space Mapping of InAsP/InGaAsP/InP Strain Epilayers |
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| Huang Zhanchao,Wu Huizhen,Lao Yanfeng,Liu Cheng,Cao Meng.XRD Reciprocal Space Mapping of InAsP/InGaAsP/InP Strain Epilayers[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(Z1). |
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| Authors: | Huang Zhanchao Wu Huizhen Lao Yanfeng Liu Cheng Cao Meng |
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| Abstract: | |
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