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| X波段PHEMT功率单片放大器 | |
| 引用本文： | 张书敬,杨瑞霞,武继斌,杨克武.X波段PHEMT功率单片放大器[J].半导体学报,2006,27(10). |
| 作者姓名： | 张书敬 杨瑞霞 武继斌 杨克武 |
| 作者单位： | 1. 河北工业大学信息工程学院,天津,300130;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051 2. 河北工业大学信息工程学院,天津,300130 3. 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051 |
| 摘 要： | 报道了X波段8W AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT MMIC功率单片放大器的设计和研制.放大器采用两级拓扑结构,输入输出为50Ω阻抗匹配,芯片面积为4.5mm×3mm.测试结果显示,在7.5V和1.5A的DC偏置下,输出功率在8W以上,功率附加效率为30%,功率增益为15dB. |
| 关 键 词： | PHEMT X波段 MMIC 功率放大器 |
An X-Band PHEMT MMIC Power Amplifier |
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| Zhang Shujing,Yang Ruixia,Wu Jibin,Yang Kewu.An X-Band PHEMT MMIC Power Amplifier[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(10). | |
| Authors: | Zhang Shujing Yang Ruixia Wu Jibin Yang Kewu |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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