| 半绝缘InP的铁掺杂激活与电学补偿 |
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| 引用本文： | 苗杉杉,赵有文,董志远,邓爱红,杨俊,王博.半绝缘InP的铁掺杂激活与电学补偿[J].半导体学报,2006,27(11). |
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| 作者姓名： | 苗杉杉 赵有文 董志远 邓爱红 杨俊 王博 |
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| 作者单位： | 1. 四川大学物理学院,应用物理系,成都,610065
2. 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 摘 要： | 比较了掺Fe和非掺退火半绝缘(SI)InP材料中Fe杂质的分布,掺杂激活机理以及Fe原子与点缺陷的相互作用.原生掺Fe SI-InP中Fe的替位激活主要通过填隙-跳跃机制,但Fe原子易在位错周围聚集,与空位形成复合体缺陷,占据填隙位等,从而降低Fe的激活效率.在FeP2气氛下退火非掺InP获得的SI-InP材料中,Fe原子的激活主要通过扩散过程的"踢出-替位"机制.退火前材料中存在的In空位使Fe原子通过扩散充分占据In位,同时抑制了材料中深能级缺陷的形成.因此,这种SI-InP材料的Fe激活效率高、电学性能好.
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| 关 键 词： | InP 铁激活 退火 半绝缘 |
Activation of Fe Doping and Electrical Compensation in Semi-Insulating InP |
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| Miao Shanshan,Zhao Youwen,Dong Zhiyuan,Deng Aihong,Yang Jun,Wang Bo.Activation of Fe Doping and Electrical Compensation in Semi-Insulating InP[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(11). |
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| Authors: | Miao Shanshan Zhao Youwen Dong Zhiyuan Deng Aihong Yang Jun Wang Bo |
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