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毫米波GaAs pin单刀单掷开关单片
引用本文:陈新宇,蒋幼泉,许正荣,黄子乾,李拂晓.毫米波GaAs pin单刀单掷开关单片[J].半导体学报,2006,27(12).
作者姓名:陈新宇  蒋幼泉  许正荣  黄子乾  李拂晓
作者单位:南京电子器件研究所,南京,210016
摘    要:采用GaAs pin二极管,完成了15~40GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作.GaAs pin二极管SPST开关单片具有低插损、高隔离、高功率的特点,在15~20GHz带内插损0.6dB,驻波优于1.5,隔离度大于40dB;在20~40GHz带内插损小于1.1dB,驻波优于1.35,隔离度大于35dB.pin二极管SPST开关单片的1dB功率压缩点P-1大于2W.GaAs pin二极管开关单片采用MOCVD生长的GaAs 纵向pin二极管材料结构,76mm GaAs圆片工艺加工制作.

关 键 词:毫米波  GaAs  pin二极管  单刀单掷  开关  单片

A Millimeter-Wave GaAs pin Diode SPST Switch MMIC
Chen Xinyu,Jiang Youquan,Xu Zhengrong,Huang Ziqian,Li Fuxiao.A Millimeter-Wave GaAs pin Diode SPST Switch MMIC[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(12).
Authors:Chen Xinyu  Jiang Youquan  Xu Zhengrong  Huang Ziqian  Li Fuxiao
Abstract:
Keywords:
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