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| 并五苯场效应管的电学特性 | |
| 引用本文： | 邓金祥,陈光华,Beton P H.并五苯场效应管的电学特性[J].半导体学报,2006,27(Z1). |
| 作者姓名： | 邓金祥 陈光华 Beton P H |
| 作者单位： | 1. 北京工业大学应用数理学院,北京,100022 2. 北京工业大学材料学院,北京,100022 3. School of Physics and Astronomy,Nottingham University,UK |
| 基金项目： | 北京市委组织部优秀人才培养基金 |
| 摘 要： | 介绍了用高真空中热蒸发镀膜的方法制备并五苯薄膜场效应晶体管.作为场效应管半导体层的并五苯薄膜沉积在p型Si(100)(14.0～20.0 Ω·cm)衬底上.场效应管中并五苯薄膜厚度为70nm,源极、漏极和栅极(Au)的厚度均为50nm,绝缘层SiO2的厚度为300nm,沟道宽度为190μm,沟道长度为15μm.用AFM表征了并五苯薄膜表面形貌,并研究了薄膜生长速率对并五苯场效应晶体管电学特性的影响.在薄膜生长速率为0.24和1.36 nm/min时,场效应管的载流子迁移率分别为2.7×10-4和2.2×10-6 cm2/(V·s). |
| 关 键 词： | 有机薄膜场效应管 并五苯 电学特性 |
Electric Characteristics of Pentacene Field Effect Transistor |
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| Deng Jinxiang,Chen Guanghua,Beton P H.Electric Characteristics of Pentacene Field Effect Transistor[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(Z1). | |
| Authors: | Deng Jinxiang Chen Guanghua Beton P H |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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