| 垂直腔面发射激光器中的侧向氧化 |
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| 作者姓名： | 刘文莉 郝永芹 王玉霞 姜晓光 冯源 李海军 钟景昌 |
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| 作者单位： | 长春理工大学高功率半导体激光重点实验室,长春,130022;长春理工大学高功率半导体激光重点实验室,长春,130022;长春理工大学高功率半导体激光重点实验室,长春,130022;长春理工大学高功率半导体激光重点实验室,长春,130022;长春理工大学高功率半导体激光重点实验室,长春,130022;长春理工大学高功率半导体激光重点实验室,长春,130022;长春理工大学高功率半导体激光重点实验室,长春,130022 |
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| 摘 要： | 研究了垂直腔面发射激光器(VCSEL)的侧向氧化工艺及其特性.发现对于条形台面,氧化物生长遵循线性生长规律.但对于在VCSEL中采用的两种结构,氧化物的生长(温度高于435℃)表现为非线性生长行为.理论分析表明,台面结构的几何形状对高温下的氧化速率产生了影响.
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| 关 键 词： | 侧向氧化 量子阱 垂直腔面发射激光器 |
| 收稿时间： | 2015-08-20 |
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