|
|||||
|
|
| 具有n+浮空层的体电场降低LDMOS结构耐压分析 | |
| 作者姓名： | 张波 段宝兴 李肇基 |
| 作者单位： | 电子科技大学IC设计中心,成都,610054 |
| 基金项目： | 国家重点实验室基金,中国科学院资助项目 |
| 摘 要： | 针对薄外延横向功率集成技术的发展,提出一种降低体内电场REBULF(REduced BULk Field)的新耐压技术,并设计了一例具有n+浮空层的REBULF LDMOS新结构.新耐压机理是通过嵌入在高阻衬底中的n+浮空层的等电位调制作用,提高源端体内低电场而降低漏端体内高电场使纵向电场重新分配,同时使衬底耐压提高.借助二维数值分析,验证了满足REBULF的条件为n+层的位置与衬底浓度的乘积不大于1×1012cm-2;在保证低的比导通电阻条件下,新结构较传统LDMOS结构击穿电压可提高75%以上. |
| 关 键 词： | LDMOS 体电场 n+浮空层 击穿电压 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |