| 基于漏区边界曲率分析的射频RESURF LDMOS耐压与导通电阻优化 |
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| 引用本文： | 池雅庆,郝跃,冯辉,方粮.基于漏区边界曲率分析的射频RESURF LDMOS耐压与导通电阻优化[J].半导体学报,2006,27(10). |
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| 作者姓名： | 池雅庆 郝跃 冯辉 方粮 |
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| 作者单位： | 1. 国防科技大学计算机学院,微电子研究所,长沙,410073
2. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071 |
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| 摘 要： | 分析了漏区边界曲率半径与射频RESURF LDMOS击穿电压的关系,指出漏区边界的弯曲对RESURF技术的效果具有强化作用.理论分析与模拟结果表明,满足RESURF条件时,提高漂移区掺杂浓度或掺杂深度的同时相应减小漏区边界的曲率半径,可以在维持击穿电压不变的前提下,明显降低导通电阻.
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| 关 键 词： | LDMOS RESURF 漏区边界曲率半径 击穿电压 导通电阻 |
Optimization of Breakdown Voltage and On-Resistance Based on the Analysis of the Boundary Curvature of the Drain Region in RF RESURF LDMOS |
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| Chi Yaqing,Hao Yue,Feng Hui,Fang Liang.Optimization of Breakdown Voltage and On-Resistance Based on the Analysis of the Boundary Curvature of the Drain Region in RF RESURF LDMOS[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(10). |
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| Authors: | Chi Yaqing Hao Yue Feng Hui Fang Liang |
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