| 共蒸发三步法制备CIGS薄膜的性质 |
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| 作者姓名： | 敖建平 孙云 王晓玲 李凤岩 何青 孙国忠 周志强 李长健 |
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| 作者单位： | 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术重点实验室(南开大学,天津大学),天津,300071 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划),南开大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 采用PID温度控制器控制共蒸发设备中蒸发源及衬底加热的温度,以三步法工艺制备CIGS(Cu(In,Ga)Se2)薄膜,通过恒功率加热衬底测试温度的变化,可实现在线组分监测,得到CIGS薄膜的组成重现性很好.CIGS薄膜的表面光洁,粗糙度多数小于10nm.但是组成相同的CIGS薄膜,其结晶择优取向可能不同,主要有(112)和(220)/(204)两种;其结晶形貌也有很大的不同,晶粒粗大且成柱状的薄膜电池效率高,虽然从Cu/(In+Ga)＜1的组成可以认为CIGS薄膜为贫Cu结构,但Hall测试多数CIGS薄膜呈p型,少数呈n型.
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| 关 键 词： | 共蒸发 Cu(In,Ga)Se2(CIGS) 三步法工艺 薄膜太阳电池 |
| 收稿时间： | 2015-08-20 |
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