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| Si间隔层对利用低温Si缓冲层生长高弛豫SiGe层的影响 | |
| 作者姓名： | 杨鸿斌 樊永良 |
| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海,200433 |
| 摘 要： | 利用低温生长Si缓冲层与Si间隔层相结合的方法生长高弛豫SiGe层,研究了Si间隔层在其中的作用.利用化学腐蚀和光学显微镜,观察了不同外延层厚度处位错的腐蚀图样.研究了不同温度下生长的Si间隔层对SiGe外延层中位错形成、传播及其对应变弛豫的影响.结果表明Si间隔层的引入,显著改变了外延层中位错的形成和传播,进而使得样品表面形貌也呈现出较大的差异. |
| 关 键 词： | SiGe 应变弛豫 位错 |
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