| 半导体量子点中强耦合激子的性质 |
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| 引用本文： | 李志新,肖景林. 半导体量子点中强耦合激子的性质[J]. 半导体学报, 2006, 27(10) |
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| 作者姓名： | 李志新 肖景林 |
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| 作者单位： | 1. 河北科技师范学院数理系,秦皇岛,066004;内蒙古民族大学物理系,通辽,028043
2. 内蒙古民族大学物理系,通辽,028043 |
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| 摘 要： | 研究了抛物型半导体量子点中强耦合激子的性质.在有效质量近似下,采用线性组合算符和幺正变换的方法,导出了半导体量子点中重空穴激子的基态能量.在强耦合情况下讨论了量子点半径和受限强度对半导体量子点中激子基态能量的影响.以氯化铊(TlCl)半导体为例进行了数值计算.结果表明:在强耦合情况下,重空穴激子的基态能量随量子点半径的增大而减小,随量子点受限强度的增大而增大.
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| 关 键 词： | 半导体量子点 激子 线性组合算符 强耦合 |
Properties of Strong-Coupling Excitons in Semiconductor Quantum Dots |
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| Li Zhixin,Xiao Jinglin. Properties of Strong-Coupling Excitons in Semiconductor Quantum Dots[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(10) |
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| Authors: | Li Zhixin Xiao Jinglin |
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