| 162GHz自对准InP/InGaAs异质结双极型晶体管 |
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| 引用本文： | 于进勇,严北平,苏树兵,刘训春,王润梅,徐安怀,齐鸣,刘新宇.162GHz自对准InP/InGaAs异质结双极型晶体管[J].半导体学报,2006,27(10). |
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| 作者姓名： | 于进勇 严北平 苏树兵 刘训春 王润梅 徐安怀 齐鸣 刘新宇 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，中国科学院知识创新工程项目 |
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| 摘 要： | 报道了发射极自对准的InP基异质结双极型晶体管.在集电极电流Ic=34.2mA的条件下,发射极面积为0.8μm×12μm的InP HBT截止频率fT为162GHz,最大振荡频率fmax为52GHz,最大直流增益为120,偏移电压为0.10V,击穿电压BVCEO达到3.8V(Ic=0.1μA).这种器件非常适合在高速低功耗方面的应用,例如OEIC接收机以及模拟数字转换器.
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| 关 键 词： | 磷化铟 异质结双极型晶体管 自对准 |
A 162GHz Self-Aligned InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistor |
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| Yu Jinyong,Yan Beiping,Su Shubing,Liu Xunchun,Wang Runmei,Xu Anhuai,Qi Ming,Liu Xinyu.A 162GHz Self-Aligned InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistor[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(10). |
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| Authors: | Yu Jinyong Yan Beiping Su Shubing Liu Xunchun Wang Runmei Xu Anhuai Qi Ming Liu Xinyu |
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| Abstract: | An emitter self-aligned InP-based single heterojunction bipolar transistor with a cutoff frequency (fT)of 162GHz is reported. The emitter size is 0.8m × 12μm, the maximum DC gain is 120, the offset voltage is 0.10V,and the typical breakdown voltage at Ic = 0.1μA is 3.8V. This device is suitable for high-speed low-power applications,such as OEIC receivers and analog-to-digital converters. |
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| Keywords: | InP HBT self-aligned |
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