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| 直流大电压下 GaN HEMT电流崩塌效应探索 | |
| 作者姓名： | 龙飞 杜江锋 罗谦 周伟 夏建新 杨谟华 |
| 作者单位： | 电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054 |
| 摘 要： | 基于GaN HEMT器件物理和实验分析测试结果,提出了一种GaN电流崩塌效应的新物理模型.研究表明,在大漏极电压条件下,沟道电子易于注入到GaN缓冲层中,并被缓冲层中的陷阱所俘获,耗尽二维电子气,从而导致电流崩塌效应.该模型描述了电流崩塌效应与缓冲层中陷阱的相互关系,并获得了电流崩塌前后迁移率与二维电子气浓度乘积的归一化值.该结果可望用于GaN HEMT器件进一步的理论探讨和实验研究. |
| 关 键 词： | 电流崩塌效应 Ga NHEMT 陷阱 物理模型 |
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