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| E^2PROM制造中耗尽型N管夹断电压的工艺控制 | |
| 作者姓名： | 吴正立 严利人 |
| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所 |
| 摘 要： | 提出了一种计算耗尽型Ｎ管夹断电压ＶＴＤ的方法。该方法引用通常的ＶＴＤ计算公式，式中难以确定的参数Ｎ由工艺模拟的结果导出，其他参数则由工艺参数导出。计算出的ＶＴＤ用作制定实验方案的参考。 |
| 关 键 词： | 数字集成电路 集成电路卡 存储器 E^2PROM |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
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