N管开启电压调整主入对P—结击穿电压的影响 |
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引用本文: | 吴正立,严利人.N管开启电压调整主入对P—结击穿电压的影响[J].微电子学,1996,26(4):247-249. |
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作者姓名: | 吴正立 严利人 |
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摘 要: | 为了讨论了问题方便,定义了两种P-N:“漏P-N结”和“单纯P-N结”。分析了二者击穿电压相关因素的差别,认为“漏R-N结”击穿电压与沟道区杂质浓度密切相关。EEPROM的研制中,要求“漏P-N结”击穿电压≥20V,即沟道区杂质浓度要低到一定的程度,而同时又必须保证一定的开启电压,即沟道区杂质浓度要高到一定的程度,通过分析与实验,提出了解决这一矛盾的通用原则。
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关 键 词: | 数字集成电路 存储器 EEPROM 开启电压调整 |
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