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| 超薄SiO2层的热生长 | |
| 引用本文： | 吴正立,严利人.超薄SiO2层的热生长[J].微电子学,1996,26(3):189-191. |
| 作者姓名： | 吴正立 严利人 |
| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所 |
| 摘 要： | 隧道小孔中超薄ＳｉＯ２的生长是ＥＥＰＲＯＭ电路制造的关键工艺之一。采用ＳＵＰＲＥＭ－Ⅲ工艺模拟程序对超薄ＳｉＯ２的热生长进行了工艺模拟，经过大量的工艺实验及优化，确定了超薄ＳｉＯ２的最佳生长条件，生长出的ＳｉＯ２性能良好，完全可满足ＥＥＰＲＯＭ研制的要求。 |
| 关 键 词： | 存储器 EEPROM 半导体工艺 超薄 热生长 |
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