| 新型(Sr0.5Ca0.5)3Ta(Ga0.5Al0.5)3Si2O14高温压电晶体的生长及性能表征 |
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| 引用本文： | 赵桂媛,刘蕾,尹芳艺,朱孟花,付秀伟.新型(Sr0.5Ca0.5)3Ta(Ga0.5Al0.5)3Si2O14高温压电晶体的生长及性能表征[J].铸造技术,2023(5):400-404. |
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| 作者姓名： | 赵桂媛 刘蕾 尹芳艺 朱孟花 付秀伟 |
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| 作者单位： | 1. 山东大学晶体材料国家重点实验室;2. 西北工业大学凝固技术国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 山东省自然科学基金(ZR2020QE031)；;国家自然科学基金(52002218)；;凝固技术国家重点实验室开放课题(SKLSP202209)；;国家重点研发计划(2022YFB3605704)； |
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| 摘 要： | 硅酸镓镧系列晶体因具有较高电阻率和优异的压电性能被认为是高温传感器应用的优选材料。本文在国际上首次采用提拉法成功生长了新型(Sr0.5Ca0.5)3Ta(Ga0.5Al0.5)3Si2O14(SCTGAS)高温压电晶体，并研究了离子取代对晶体生长及电学性能的影响。生长的SCTGAS晶体无色，结晶质量较好，呈现出板面生长形态，在可见光波段具有较高的透过性。在450℃测试温度下，该晶体的电阻率仍高于109Ω·cm。此外，Sr取代能够显著增强晶体的高温压电系数d11,550℃时该值达到5.55 p C/N。因此，SCTGAS晶体在高温压电传感器领域展现出良好的应用潜力。
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| 关 键 词： | 硅酸镓镧 高温压电 压电系数 提拉法 晶体生长 |
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