| Ka波段低噪声放大器的设计 |
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| 作者姓名： | 韩振宇 张海英 刘洪民 李井龙 陈晓哲 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划 ( 973,G2 0 0 2 CB3 1 1 90 6)资助项目 |
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| 摘 要： | 利用pHEMT工艺设计了一个Ka波段微波单片低噪声放大器电路。电路采用四级放大的结构形式。利用微带电路实现射频输入、输出和级间匹配。采用多目标优化方法对电路增益、噪声系数、驻波比、稳定系数和输出1dB压缩点等特性进行了研究。设计出一个增益大于20dB,噪声系数小于1．0dB,1dB压缩点的输出功率在10dBm以上,性能优异的LNA。
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| 关 键 词： | 毫米波单片集成电路 Ka波段 赝配高电子迁移率晶体管 低噪声放大器 |
| 文章编号： | 1005-9490(2004)03-0389-04 |
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