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| 应变In0.20 Ga0.80As／GaAs单量子阱结构的光谱研究 | |
| 引用本文： | 沈文忠,唐文国.应变In0.20 Ga0.80As／GaAs单量子阱结构的光谱研究[J].红外与毫米波学报,1996,15(1):11-17. |
| 作者姓名： | 沈文忠 唐文国 |
| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 |
| 摘 要： | 报道了用光致发光光谱，吸收光谱和光电流谱研究具有相同组伊阱宽，不同覆盖层厚度的应变Ｉｎ０．２０Ｇａ０．８０Ａｓ／ＧａＡｓ单量子阱结构的实验结果，结果理论计算，观察到ＧａＡｓ覆盖层厚度对单量子阱结构的材料质量，应力驰豫和发光淬灭机制的影响，确定了各样品应变值和导带不连续因子Ｑｃ，并讨论了这种结构发光机制。 |
| 关 键 词： | 光谱 单量子阱 光致发光 InGaAs 砷化镓 |
SPECTROSCOPIC STUDIES OF STRAINED In 0.20 Ga 0.80 As/GaAs SINGLE QUANTUM WELL |
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| Shen Wenzhong,Tang Wenguo,Shen Xuechu.SPECTROSCOPIC STUDIES OF STRAINED In 0.20 Ga 0.80 As/GaAs SINGLE QUANTUM WELL[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,1996,15(1):11-17. | |
| Authors: | Shen Wenzhong Tang Wenguo Shen Xuechu |
| Abstract: | |
| Keywords: | spectroscopic studies InGaAs/GaAs single quantum well |
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