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纳米AlN粉末的制备与烧结
引用本文:杜学丽,秦明礼,孙伟,曲选辉.纳米AlN粉末的制备与烧结[J].真空电子技术,2006(4).
作者姓名:杜学丽  秦明礼  孙伟  曲选辉
摘    要:利用低温燃烧合成前驱物制备出平均粒度为100 nm的AlN陶瓷粉末,比较了该粉末的常压烧结和放电等离子烧结的特性.实验表明:以合成的AlN粉末为原料,添加5%(质量比)Y2O3作为烧结助剂,在常压、流动N2气氛下1600℃保温3 h,制备出平均晶粒尺寸为4~8 μm、密度为3.28 g·cm-3的AlN陶瓷;将同样的粉末不加任何烧结助剂,采用SPS技术在1600℃保温4 min,得到密度为3.26 g·cm-3的AlN陶瓷,晶粒度约为1~2μm.

关 键 词:纳米粉末  AlN陶瓷  放电等离子烧结

Preparation and Sintering of Nanometer AlN Powders
DU Xue-li,QIN Ming-li,SUN Wei,QU Xuan-hui.Preparation and Sintering of Nanometer AlN Powders[J].Vacuum Electronics,2006(4).
Authors:DU Xue-li  QIN Ming-li  SUN Wei  QU Xuan-hui
Abstract:
Keywords:
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