硅晶圆中注入10 MeV磷的连续激光退火激活

基于硅(Si)中高能注入磷(P)的连续激光退火方法展开研究。采用的P离子最高注入能量为10 MeV,在Si中的注入深度可达7μm。分别采用532nm和808nm波长的连续激光退火,照射时间分别为2ms和27ms。结果显示,虽然532nm激光在Si中的穿透深度只有125μm,不到808nm激光的1/10,但由于照射时间较长,热传导起到主要作用。因此,两种退火方案都可以实现整个注入深度的有效激活。532nm连续激光退火实现了93的激活效率,808nm激光退火的激活效率接近100。