| 干法刻蚀InSb时Ar气含量的选取 |
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| 引用本文： | 李海燕,谭振,陈慧卿,亢喆.干法刻蚀InSb时Ar气含量的选取[J].激光与红外,2018,48(12):1503-1508. |
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| 作者姓名： | 李海燕 谭振 陈慧卿 亢喆 |
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| 作者单位： | 华北光电技术研究所,北京 100015 |
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| 摘 要： | 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是目前国际制备InSb台面结型焦平面阵列技术的主流技术之一。文章研究采用ICP刻蚀技术,以CH4/H2/Ar刻蚀气体体系对InSb材料进行干法刻蚀时刻蚀气体体系中Ar气体积组分对材料刻蚀形貌及器件性能的影响。实验方案设置为在控制其他实验变量相同的情况下设置不同Ar气体积分数的刻蚀气体体系对InSb材料进行台面蚀刻,通过扫描电子显微镜(SEM)、激光共聚焦显微镜考察台面刻蚀形貌,通过I-V测试得到的器件性能结果考察刻蚀损伤情况。从实验结果得到,Ar体积占据总气体体积的30%～35%时台面刻蚀形貌良好,表面损伤轻,器件性能良好,刻蚀工艺满足要求。
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| 关 键 词： | 锑化铟 感应耦合等离子体刻蚀 氩气 表面形貌 化学计量比 I-V测试 |
The selection of Ar content in the dry etching of InSb material |
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| LI Hai-yan,TAN Zhen,CHEN Hui-qing,KANG Zhe.The selection of Ar content in the dry etching of InSb material[J].Laser & Infrared,2018,48(12):1503-1508. |
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| Authors: | LI Hai-yan TAN Zhen CHEN Hui-qing KANG Zhe |
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| Affiliation: | North China Research Institute of Electro-Optics,Beijing 100015,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InSb ion coupled plasma etching Ar surface morphology stoichiometric ratio I-V test |
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