| 高温下In0.83Al0.17As/In0.83Ga0.17As红外探测器特性分析 |
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| 引用本文： | 杜鹏飞,叶伟.高温下In0.83Al0.17As/In0.83Ga0.17As红外探测器特性分析[J].激光与红外,2022,52(9):1378-1383. |
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| 作者姓名： | 杜鹏飞 叶伟 |
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| 作者单位： | 陕西理工大学机械工程学院,陕西 汉中 723001 |
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| 基金项目： | 陕西省教育厅专项科学研究计划项目(No.17JK0144；No.18JK0151)；陕西理工大学人才启动项目(No.SLGQD2017-19)资助。 |
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| 摘 要： | 非冷却热探测器的性能在光谱检测应用中仍需要提高。为了降低热噪声和减小暗电流,实现器件的高温工作性能,本文通过将器件的倍增层和吸收层分离设计后,选用In083Al017As作为倍增层材料,利用仿真软件Silvaco TCAD,详细探究了不同温度对器件暗电流和光响应度的影响规律。结果表明,在高温160～300K范围内,随着温度的升高,器件的暗电流增大,光响应度呈现先增大后减小的变化。利用公式进一步计算出,-500mV和300K时,器件的暗电流密度为0485 A/cm2,15μm处的峰值响应度为1818 A/W,零偏置微分电阻面积为0053 Ω·cm2,比探测率为326×109cm·Hz1/2·W-1。
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| 关 键 词： | 红外探测 高温工 暗电 光响应 比探测率 |
| 修稿时间： | 2021/11/26 0:00:00 |
Characteristic analysis of In0.83Al0.17As/In0.83Ga0.17Asinfrared detectors at high temperature |
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| DU Peng-fei,YE Wei.Characteristic analysis of In0.83Al0.17As/In0.83Ga0.17Asinfrared detectors at high temperature[J].Laser & Infrared,2022,52(9):1378-1383. |
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| Authors: | DU Peng-fei YE Wei |
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| Affiliation: | School of Mechanical Engineering,Shaanxi University of Technology,Hanzhong 723001,China |
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