MOCVD法制备薄膜型SnO2气敏元件 |
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引用本文: | 赵世勇,魏培海.MOCVD法制备薄膜型SnO2气敏元件[J].化学传感器,1995,15(2):119-123. |
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作者姓名: | 赵世勇 魏培海 |
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摘 要: | 本文报道了MOCVD技术制备的SnO2薄膜型气敏元件。这种方法沉积的SnO2薄膜耐酸碱性强,膜厚易控制,具有负温阻特性。测定了不同温度和不同气体条件下元件的特性发现该元件对乙醇、丙酮气体具有较高的灵敏度,响应时间快;而对氢气、乙烯、煤气、液化石油气等不敏感,因而具有一定的选择性。元件的稳定性较好。
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关 键 词: | MOCVD法 气敏元件 二氧化锡 半导体薄膜 |
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