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Te对Mg2Si基化合物结构和热电传输性能的影响
引用本文:姜洪义,张联盟.Te对Mg2Si基化合物结构和热电传输性能的影响[J].硅酸盐学报,2002,30(5):550-553.
作者姓名:姜洪义  张联盟
作者单位:1. 武汉理工大学材料科学与工程学院
2. 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070
基金项目:武汉市国际合作资助项目(20007010108).
摘    要:采用固相反应法在823 K温度下分别制备出了掺入0.1 %和0.4 % Te(摩尔分数,下同)的Mg2Si化合物, 并对掺Te对化合物结构和热电特性的影响进行了研究.结果表明通过对Mg2Si基体的掺杂可以大幅度提高Mg2Si基热电材料的整体热电性能.掺入0.4%Te试样的优值系数在500 K时达到2.4×10-3W/(m *K2), 比未掺杂的Mg2Si试样提高了1.4倍以上.

关 键 词:Te  Mg2Si基化合物  结构  热电传输性能  影响  固相反应    掺杂  热电特性  热电材料
文章编号:0454-5648(2002)05-0550-04
修稿时间:2002年1月7日

EFFECT OF Te CONTENT ON CRYSTAL STRUCTURE AND THERMOELECTRIC TRANSPORT PROPERTIES OF Mg2Si-BASED COMPONNDS
JIANG Hongyi ,ZHANG Lianmeng.EFFECT OF Te CONTENT ON CRYSTAL STRUCTURE AND THERMOELECTRIC TRANSPORT PROPERTIES OF Mg2Si-BASED COMPONNDS[J].Journal of The Chinese Ceramic Society,2002,30(5):550-553.
Authors:JIANG Hongyi  ZHANG Lianmeng
Affiliation:JIANG Hongyi 1,ZHANG Lianmeng 2
Abstract:
Keywords:solid_state reaction  doping tellurium  thermoelectric properties  
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