| 无氧化剂条件下铜钴CMP去除速率的控制北大核心 |
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| 引用本文： | 张文倩,刘玉岭,王辰伟,牛新环,杜义琛,季军,韩丽楠.无氧化剂条件下铜钴CMP去除速率的控制北大核心[J].微纳电子技术,2018(1):57-62. |
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| 作者姓名： | 张文倩 刘玉岭 王辰伟 牛新环 杜义琛 季军 韩丽楠 |
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| 作者单位： | 1.河北工业大学电子信息工程学院300130;2.天津市电子材料与器件重点实验室300130; |
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| 基金项目： | 国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007)；河北省青年自然科学基金资助项目(F2015202267)；天津市自然科学基金资助项目(16JCYBJC16100)；河北省研究生创新资助项目(220056) |
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| 摘 要： | 利用不含氧化剂的碱性抛光液对铜和钴进行化学机械抛光,深入分析了抛光液组分包括硅溶胶磨料、FA/O螯合剂以及非离子表面活性剂对两种金属去除速率的影响规律及作用机理。实验结果表明,铜和钴的去除速率随着磨料质量分数的增加而升高,并且在磨料质量分数低于5%时钴的去除速率为20~30 nm/min,而铜的去除速率几乎为零;加入FA/O螯合剂可增强其与金属离子的络合,从而加快铜和钴的去除速率;非离子表面活性剂可以有效降低铜和钴的表面粗糙度。在抛光液各组分的协同作用下,可以达到两种材料的低表面粗糙度和高去除速率选择性。
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| 关 键 词： | 阻挡层 化学机械抛光(CMP) 钴 去除速率 碱性抛光液 表面粗糙度 |
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