| GaAs多量子阱的光电流谱 |
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| 引用本文： | 程兴奎,周均铭,黄绮. GaAs多量子阱的光电流谱[J]. 功能材料与器件学报, 2000, 6(3): 228-231 |
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| 作者姓名： | 程兴奎 周均铭 黄绮 |
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| 作者单位： | 山东大学光电材料与器件研究所,山东250100;中国科学院物理研究所,北京100080 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目!(No.69976016),山东省自然科学基金课题!(No.Y98G11107) |
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| 摘 要： | 在Ｔ＝７７Ｋ,测量了ＧａＡｓ多量子阱的光电流,发现在ｖ＝１３１２ｃｍ＾－１附近存在一个强电流峰,并且在这强电流峰附近的高波数区还有几个弱峰,强电流峰是量子阱中基态电子向第一激发态跃迁形成的,而弱峰与最子阱势垒以上的电子干涉有关。
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| 关 键 词： | GaAs量子阱 光电流 电子干涉 |
| 修稿时间： | : |
Photocurrent spectrum of GaAs multiquantum well |
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| CHENG Xing-kui,ZHOU Jun-ming,HUANG Qi. Photocurrent spectrum of GaAs multiquantum well[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2000, 6(3): 228-231 |
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| Authors: | CHENG Xing-kui ZHOU Jun-ming HUANG Qi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaAs quantum well Photocurrent Electron interference |
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