| （100）应变对正交相Ca2P0.25Si0.75能带结构及光学性质的影响 |
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| 引用本文： | 岑伟富,杨吟野,范梦慧,姚娟,黄金保.（100）应变对正交相Ca2P0.25Si0.75能带结构及光学性质的影响[J].磁记录材料,2014(3):30-36. |
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| 作者姓名： | 岑伟富 杨吟野 范梦慧 姚娟 黄金保 |
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| 作者单位： | 贵州民族大学理学院,贵阳550025 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（No.51266002）;教育部科学技术研究重点项目（210200）;贵州省科学技术联合基金项目（LKM201130）;贵州省优秀科技教育人才省长专项资金项目（201174）;资助项目. |
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| 摘 要： | 采用第一性原理赝势平面波方法对（100）应变下正交相Ca2P0.25Si0.75的能带结构及光学性质进行模拟计算.计算结果表明：（100）面在晶格发生100％～116％张应变时,带隙随着应变增加而减小;在晶格发生96％～100％压应变时,带隙随着张应变的增加而增加;88％～96％压应变时,带隙随着压应变的增加而减小;当压应变大于88％后转变为间接带半导体.当施加应变后光学性质发生显著的变化：随着压应变的增加静态介电常数、折射率逐渐减小,张应变则反之.施加压应变反射向低能方向偏移,施加张应变反射向高能方向偏移,但施加应变对反射区域的影响不显著.施压应变吸收谱、光电导率的变化与介电函数和折射率相反.综上所述,应变可以改变Ca2P0.25Si0.75的电子结构和光学常数,是调节Ca2P0.25Si0.75光电传输性能的有效手段.
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| 关 键 词： | 应变 能带结构 光学性质 C 第一性原理 |
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