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场效应晶体管太赫兹探测器在太赫兹成像领域的研究进展(上)
作者姓名:靳晨阳  康亚茹  黄镇  赵永梅  颜伟  李兆峰  王晓东  杨富华
作者单位:中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,湖北九峰山实验室 研究中心,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所
基金项目:国家自然科学基金项目(61971395; 52075519)
摘    要:太赫兹(Terahertz, THz)波具有能量低、穿透性强、分辨率高等特性,因而THz成像技术在安全检测、医学诊断、无损探伤等领域具有广阔的应用前景。THz探测器作为THz成像系统的重要组成部分,其性能对成像分辨率、成像速度等有重要影响。由于具备可室温工作、易大面积集成、响应速度快等特性,场效应晶体管(Field Effect Transistor, FET) THz探测器在成像应用中潜力巨大。综述了近年来FET THz探测器在THz成像领域的研究进展(包括成像阵列、材料选择等方面),分析了设计和制造中存在的问题;指出天线和像素间距是限制大规模阵列化的重要因素,并在此基础上对未来的研究方向进行了展望;指出新的材料和结构设计将进一步改善器件性能,从而实现更快速、更清晰的THz成像。

关 键 词:太赫兹成像  场效应晶体管  太赫兹探测器  HEMT  CMOS  低维材料
收稿时间:2024-01-12
修稿时间:2024-02-01
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