| 碲锌镉晶体Cd源控制生长技术研究 |
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| 引用本文： | 刘江高,李轩,徐强强,范叶霞,侯晓敏,刘铭,吴卿.碲锌镉晶体Cd源控制生长技术研究[J].激光与红外,2022,52(5):730-733. |
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| 作者姓名： | 刘江高 李轩 徐强强 范叶霞 侯晓敏 刘铭 吴卿 |
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| 作者单位： | 华北光电技术研究所,北京 100015 |
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| 摘 要： | 针对碲锌镉(CdZnTe)晶体中二次相缺陷问题，Cd源控制生长技术是更为有效的缺陷抑制技术。本文结合模拟仿真与实际测温调温，对比了VB法以及VGF法下Cd源处温度的可控性。在实现Cd源处温度控制基础上研究了不同Cd源处温度控制条件对晶体二次相缺陷尺寸及分布的影响。VB法中，Cd源处控制温度快速下降，晶体尾端出现三角形Te夹杂缺陷。VGF法中，在Cd源控制温度达到820～790℃范围内时，虽然晶体头部中心部分二次相缺陷问题改善效果一般，但晶体边缘及尾部二次相缺陷问题能够得到了极大改善。
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| 关 键 词： | 碲锌镉晶体 Cd源控制晶体生长 |
| 修稿时间： | 2021/9/12 0:00:00 |
Study on the growth technology of CdZnTe crystal with Cd reservoir controlled |
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| LIU Jiang-gao,LI Xuan,XU Qiang-qiang,FAN Ye-xi,HOU Xiao-min,LIU Ming,WU Qing.Study on the growth technology of CdZnTe crystal with Cd reservoir controlled[J].Laser & Infrared,2022,52(5):730-733. |
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| Authors: | LIU Jiang-gao LI Xuan XU Qiang-qiang FAN Ye-xi HOU Xiao-min LIU Ming WU Qing |
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| Affiliation: | North China Research Institute of Electro Optic,Beijing 100015,China |
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| Abstract: | |
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