| 四甲基硅氧烷制备SiOx低表面能薄膜 |
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| 引用本文： | 周美丽,陈强,岳蕾,葛袁静.四甲基硅氧烷制备SiOx低表面能薄膜[J].包装工程,2006,27(4):68-70. |
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| 作者姓名： | 周美丽 陈强 岳蕾 葛袁静 |
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| 作者单位： | 北京印刷学院等离子体物理及材料研究室,北京,102600;北京印刷学院等离子体物理及材料研究室,北京,102600;北京印刷学院等离子体物理及材料研究室,北京,102600;北京印刷学院等离子体物理及材料研究室,北京,102600 |
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| 基金项目： | 北京印刷学院校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 采用13.56MHz的射频等离子体聚合装置,以四甲基二硅氧烷(TMDSO)为单体、氧气为反应气体、氩气为电离气体,在载玻片、单晶硅片、PET、BOPP等基体材料上沉积氧化硅低表面能薄膜.在薄膜的制备工艺研究中,通过改变放电方式、工作压强、放电功率、沉积时间、氩气和TMDSO单体的比例等参数,研究氧化硅薄膜的沉积速率;通过傅立叶红外光谱仪(FTIR)、原子力显微镜(AFM)等分析了沉积膜的化学组成和结合状态;利用接触角测定仪测量薄膜的接触角,从而计算薄膜的表面能,最终从结构分析上研究影响SiO2薄膜低表面能内在因素.
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| 关 键 词： | PECVD 四甲基二硅氧烷 低表面能薄膜 SiOx薄膜 |
| 文章编号： | 1001-3563（2006）04-0068-03 |
| 收稿时间： | 2006-06-20 |
| 修稿时间： | 2006年6月20日 |
Preparation of Low Surface Energy SiOx Film by Tetramethyldisiloxane |
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| ZHOU Mei-li,CHEN Qiang,YUE Lei,GE Yuan-jing.Preparation of Low Surface Energy SiOx Film by Tetramethyldisiloxane[J].Packaging Engineering,2006,27(4):68-70. |
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| Authors: | ZHOU Mei-li CHEN Qiang YUE Lei GE Yuan-jing |
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| Affiliation: | Beijing Institute of Graphic and Communication, Beijing 102600, China |
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| Abstract: | Experiments were made to produce SiO_x by PECVD onmicroscope slides substrates of PET,BOPP,and so on,using a gaseous mixture of Tetramethyldisiloxane with argon.During the procedure,we studied the deposition rate by changing the discharge power,deposition time and the percentage of TMDSO.Under those conditions,the effect of the TMDSO concentration in the plasma on the film composition and structure and the low energy character was studied using Fourier transform infrared adsorption spectroscopy(FTIR),contact angle and Atomic Force Microscopy(AFM). |
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| Keywords: | PECVD |
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