基于镀铜SiC-Cu颗粒制备石墨烯片/SiC-Cu和碳纳米管/SiC-Cu增强体

利用化学气相沉积法(CVD),分别在光沉积镀铜SiC-Cu颗粒和无电镀铜SiC-Cu颗粒表面制备石墨烯片(GNSs)/SiC-Cu和碳纳米管(CNTs)/SiC-Cu增强体。利用拉曼光谱和SEM研究制备温度和保温时间对生成的石墨烯片和碳纳米管的层数和质量的影响。结果表明:利用CVD法,在无电镀铜SiC-Cu颗粒和光沉积镀铜SiCCu颗粒表面均可生成多层GNSs和CNTs;以无电镀铜SiC-Cu颗粒为基体,在1 000℃下保持20 min生成的GNSs质量较好,已经接近单层;利用SEM观察最佳参数下的生成物,可观察到10~45nm直径的CNTs交错分布在圆形铜颗粒之间。