| 掺Fe元素的InP晶体中扩展位错的运动 |
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| 引用本文： | 洪建明,朱信华,朱健民,盛东,王路春.掺Fe元素的InP晶体中扩展位错的运动[J].电子显微学报,2000,19(4):505-506. |
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| 作者姓名： | 洪建明 朱信华 朱健民 盛东 王路春 |
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| 作者单位： | 南京大学现代分析中心、固体微结构物理国家重点实验室,南京,210093 |
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| 摘 要： | 利用LEG法制备掺Fe0.03wt.%的InP晶体。样品观察在JEM-4000EX高分辨电镜上进行,电压为400kV,点分辨率为0.19nm(Cs=1mm),电镜中电子束产生的辐照为2.5×103e/cm2s。InP晶体是立方闪锌矿结构,空间群为F43m,单胞参数为a=0.5868nm。图1是InP扩展螺位错在110]方向投影的高分辨像。图中亮点对应原子位置。很明显,一层(111)原子被抽去。图中用黑点标出了扩展位错的螺型分量。扩展位错包括两个Burgers矢量为1/6211]和1/6121]的Shockley不全位错,其间是内禀层错。扩展位错之间的距离为17.9nm。层错能可根据下式计算1]:R=μb2(2-3V)/8πd…
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| 关 键 词： | 掺铁 磷化铟晶体 扩展位错 |
Movement of extended dislocation in iron-doped indium phosphide crystals |
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| HONG Jian-ming,ZHU Xin-hua,ZHU Jian-min,SHENG Dong,WANG Lu-chun.Movement of extended dislocation in iron-doped indium phosphide crystals[J].Journal of Chinese Electron Microscopy Society,2000,19(4):505-506. |
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| Authors: | HONG Jian-ming ZHU Xin-hua ZHU Jian-min SHENG Dong WANG Lu-chun |
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