| 溅射硅基铜膜厚度与应力关系研究 |
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| 引用本文： | 吴桂芳,宋学平,王荣,刘琦,孙兆奇.溅射硅基铜膜厚度与应力关系研究[J].真空电子技术,2003(3):35-38. |
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| 作者姓名： | 吴桂芳 宋学平 王荣 刘琦 孙兆奇 |
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| 作者单位： | 安徽大学,物理系,安徽,合肥,230039 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(59972001)，安徽省自然科学基(01044901)资助项目 |
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| 摘 要： | 采用光学相移法，对不同厚度硅基铜膜在特定退火温度(200℃)下的应力变化进行了研究。研究表明：膜厚在103-228nm之间的平均应力和应力差的变化比较小，应力分布比较均匀。
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| 关 键 词： | 溅射铜膜 退火温度 膜厚 应力 光学相移法 |
| 文章编号： | 1002-8935(2003)03-0035-04 |
| 修稿时间： | 2002年9月25日 |
The Effects of Thickness on the Stress Properties of Sputtering Cu Films on Si Wafers |
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| WU Gui-fang,SONG Xue-ping,WANG Rong,LIU Qi,SUN Zhao-qi.The Effects of Thickness on the Stress Properties of Sputtering Cu Films on Si Wafers[J].Vacuum Electronics,2003(3):35-38. |
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| Authors: | WU Gui-fang SONG Xue-ping WANG Rong LIU Qi SUN Zhao-qi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Sputtering Cu film Annealing temperature Thickness Stress Optical phase-shift technology |
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