| 一种SETMOS二阶带通滤波器设计实现 |
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| 引用本文： | 蔡理,康强,史党院.一种SETMOS二阶带通滤波器设计实现[J].纳米科技,2012(6):5-7,27. |
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| 作者姓名： | 蔡理 康强 史党院 |
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| 作者单位： | [1]空军工程大学理学院,陕西西安710051 [2]空军工程大学科研部,陕西西安710051 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目（批准号：61172043）,陕西省自然科学基础研究计划重点项目（批准号：2011JZ015） |
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| 摘 要： | 单电子晶体管（SET）作为一种纳电子器件有着较大的优势，将SET与纳米MOS混合构成的器件（SETMOS）是目前研究的热点之一。SETMOS作为一种新的混合器件，在结合了两者优点的同时，具有与SET一样的库仑振荡特性和MOS高增益等特性。文章基于一种sETM0s混合结构的电压电流特性的数学模型，设计并实现了一种SETMOS二阶带通滤波器，阐述了这种SETMOS带通滤波器的结构、工作条件、性能、参数和特点，并用PSpice对其传输特性进行了仿真验证，结果证明，SETMOS在其通带范围内具有良好的带通幅频特性，且具有低电压、低功耗和高频的特点。
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| 关 键 词： | SETMOS 带通滤波器 传输特性 |
A SETMOS Second Order Band-pass Filter Design |
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| Authors: | CAI Li KANG Qiang SHI Dang-yuan |
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| Affiliation: | 1. Science Institute, Air Force Engineering University, Xi＇an 710051, China) (2. Science Research Department, Air Force Engineering University, Xi＇an 710051, China) |
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| Abstract: | Single-electron transistor （SET） is a popular nanoelectronic device, and SETMOS composed of the SET and nano-MOS device, is one of the current research focus. SETMOS as a new hybrid device combine the advantages of both, and also remains the Coulomb oscillation of SET and high gain of MOS. In the paper, based on a SETMOS hybrid device I-V characteristics model, a second order band-pass fiher is designed and fabricated. The corresponding structure, oper- ating condition, performance, parameter and characteristics were introduced and the transmission performance of the filter designed is simulated by PSpice circuit simulation software. The results indicates that the SETMOS has good band-pass amplitude-frequency characteristics and some other advantages, such as low-vohage, low-power and high-frequency in the range of the passband frequency characteristics. |
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| Keywords: | SETMOS band-pass filter transmission performance |
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