磁控溅射工艺参数对ZAO薄膜性能的影响 |
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引用本文: | 刘沅东,张宁,汤清琼,余新平,张至树.磁控溅射工艺参数对ZAO薄膜性能的影响[J].材料保护,2014(Z1):137-139. |
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作者姓名: | 刘沅东 张宁 汤清琼 余新平 张至树 |
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作者单位: | 北京四方继保自动化股份有限公司; |
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摘 要: | 通过磁控溅射氧化铝锌陶瓷靶材的方法在玻璃基片上制备ZAO薄膜,研究了溅射电流、溅射气压、基片温度对ZAO膜电学及光学性能的影响,使用X射线衍射仪分析了薄膜相结构,使用台阶仪测试薄膜厚度,使用四探针方阻仪测试薄膜电阻率,采用紫外可见分光光度计测试薄膜透过率。结果表明:溅射电流增加可以改善ZAO薄膜的透过率与电阻率;溅射气压对薄膜的结晶性和透过率影响不大,但电阻率会随溅射气压的增大而上升;基体温度升高可以提高AZO薄膜的透过率与电导率。
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关 键 词: | 磁控溅射 ZAO薄膜 工艺参数 电阻率 透过率 结晶性能 |
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