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| 低阈值基横模脊形波导GaAs／AlGaAs单量子阱激光器 | |
| 引用本文： | 徐遵图,杨国文,肖建伟,徐俊英,张敬明,郑婉华,瞿伟,陈良惠,毕可奎.低阈值基横模脊形波导GaAs／AlGaAs单量子阱激光器[J].半导体学报,1995,16(8):598-602. |
| 作者姓名： | 徐遵图 杨国文 肖建伟 徐俊英 张敬明 郑婉华 瞿伟 陈良惠 毕可奎 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所国家光电子集成开放实验室，中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心 |
| 摘 要： | 本文报道了脊形波导结构ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱激光器的研究成果．我们采用湿法化学腐蚀方法，通过对器件结构参数的优化，制备了性能优越的脊形波导ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱激光器，器件的阈值电流低于１０ｍＡ，最低值为７．３ｍＡ，而且实现了基横模工作，这是国内报道的该结构激光器的最好水平． |
| 关 键 词： | 量子进激光器 背形波导 砷化镓 AlGaAs |
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